Semikron Danfoss SKM300GBD12T4 IGBT-Modul, 1200 V, 300 A, Halbbrücke, TRENCHSTOP™ IGBT4 – 2er-Pack

Semikron Danfoss SKM300GBD12T4 IGBT-Modul

Der Semikron Danfoss SKM300GBD12T4 ist ein Hochleistungs-IGBT-Modul (Insulated Gate Bipolar Transistor) in Halbbrückenkonfiguration, das für robuste Leistungswandlungsanwendungen entwickelt wurde. Dank der fortschrittlichen TRENCHSTOP™ IGBT4-Technologie mit optimierter Emitter-gesteuerter Diode bietet dieses Modul hervorragende elektrische Eigenschaften, darunter geringe Schaltverluste und hohe Zuverlässigkeit. Es eignet sich ideal für eine Vielzahl industrieller Leistungselektronikanwendungen, von Motorantrieben und Wechselrichtern für erneuerbare Energien bis hin zu unterbrechungsfreien Stromversorgungen.

Herstellerinformationen:

• Hersteller: Semikron Danfoss
• Teilenummer: SKM300GBD12T4
• Produkttyp: IGBT-Modul
• Konfiguration: Halbbrücke
• Kollektor-Emitter-Spannung (Vces): 1200 V
• Kollektorstrom (Ic nom): 300 A (bei Tc = 80°C)
• Technologie: TRENCHSTOP™ IGBT4 mit optimierter Emitter-gesteuerter Diode
• Gehäuse/Paket: SEMIX 3 (Typisches Semikron-Gehäuse für diese Nennwerte)
• Isolationsspannung (Visol): Typischerweise 3600 V Wechselstrom (1 min)
• TJmax: Typischerweise 175 °C (Betriebstemperatur des Sperrschichtübergangs)
• Gate-Emitter-Spannung (Vge): ±20 V
• Hauptmerkmale:
  • Niedrige Induktivität für effizienten Betrieb
  • Optimiert für geringe Schaltverluste bei einer Vielzahl von Schaltfrequenzen
  • Hohe Kurzschlussfestigkeit
  • Integrierter NTC-Thermistor zur Temperaturüberwachung
  • RoHS-konform